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T&M CVR高频无感电阻，设计用于监测脉冲发生器系统，稳态电流负载产生的极高峰值功率和电流输入，瞬态电流监测，近年来在功率半导体，宽禁带器件的高速发展；器件的动态性能（双脉冲）评价需要对全局导通和关断瞬间的电流波形进行高精度的捕获，同时尽量减少探头本身的插入损耗。
T&M CVR高频无感电阻，设计用于监测脉冲发生器系统，稳态电流负载产生的极高峰值功率和电流输入，瞬态电流监测，近年来在功率半导体，宽禁带器件的高速发展；器件的动态性能（双脉冲）评价需要对全局导通和关断瞬间的电流波形进行高精度的捕获，同时尽量减少探头本身的插入损耗。
T&M CVR高频无感电阻，设计用于监测脉冲发生器系统，稳态电流负载产生的极高峰值功率和电流输入，瞬态电流监测，近年来在功率半导体，宽禁带器件的高速发展；器件的动态性能（双脉冲）评价需要对全局导通和关断瞬间的电流波形进行高精度的捕获，同时尽量减少探头本身的插入损耗。
T&M CVR高频无感电阻，设计用于监测脉冲发生器系统，稳态电流负载产生的极高峰值功率和电流输入，瞬态电流监测，近年来在功率半导体，宽禁带器件的高速发展；器件的动态性能（双脉冲）评价需要对全局导通和关断瞬间的电流波形进行高精度的捕获，同时尽量减少探头本身的插入损耗。
T&M CVR高频无感电阻，设计用于监测脉冲发生器系统，稳态电流负载产生的极高峰值功率和电流输入，瞬态电流监测，近年来在功率半导体，宽禁带器件的高速发展；器件的动态性能（双脉冲）评价需要对全局导通和关断瞬间的电流波形进行高精度的捕获，同时尽量减少探头本身的插入损耗。
T&M CVR高频无感电阻，设计用于监测脉冲发生器系统，稳态电流负载产生的极高峰值功率和电流输入，瞬态电流监测，近年来在功率半导体，宽禁带器件的高速发展；器件的动态性能（双脉冲）评价需要对全局导通和关断瞬间的电流波形进行高精度的捕获，同时尽量减少探头本身的插入损耗。
T&M CVR高频无感电阻，设计用于监测脉冲发生器系统，稳态电流负载产生的极高峰值功率和电流输入，瞬态电流监测，近年来在功率半导体，宽禁带器件的高速发展；器件的动态性能（双脉冲）评价需要对全局导通和关断瞬间的电流波形进行高精度的捕获，同时尽量减少探头本身的插入损耗。
T&M CVR高频无感电阻，设计用于监测脉冲发生器系统，稳态电流负载产生的极高峰值功率和电流输入，瞬态电流监测，近年来在功率半导体，宽禁带器件的高速发展；器件的动态性能（双脉冲）评价需要对全局导通和关断瞬间的电流波形进行高精度的捕获，同时尽量减少探头本身的插入损耗。
DP6350D（3500Vpk/500MHz）
带宽(-3dB) 500MHz
上升时间 ≤700ps
DP6150D（1500Vpk/500MHz）
带宽(-3dB) 500MHz
上升时间 ≤700ps
DP6070D（700Vpk/500MHz）
带宽(-3dB) 500MHz
上升时间 ≤700ps
DP6700B （7000Vpk/300MHz）
带宽(-3dB) 300MHz
上升时间 ≤1.16ns
没找到合适的型号？让工程师帮你选
说明被测对象、电压电流等级与带宽要求，工作日 2 小时内给出候选型号和取舍理由。
