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T&M SSDN-015高频无感同轴分流器0.015欧姆 高精度电阻 2watt 1200M高带宽螺母款shunt
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T&M CVR高频无感电阻,设计用于监测脉冲发生器系统,稳态电流负载产生的极高峰值功率和电流输入,瞬态电流监测,近年来在功率半导体,宽禁带器件的高速发展;器件的动态性能(双脉冲)评价需要对全局导通和关断瞬间的电流波形进行高精度的捕获,同时尽量减少探头本身的插入损耗。
T&M SSDN-005高频无感同轴分流器0.005欧姆 高精度电阻 2watt 螺母款shunt
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T&M CVR高频无感电阻,设计用于监测脉冲发生器系统,稳态电流负载产生的极高峰值功率和电流输入,瞬态电流监测,近年来在功率半导体,宽禁带器件的高速发展;器件的动态性能(双脉冲)评价需要对全局导通和关断瞬间的电流波形进行高精度的捕获,同时尽量减少探头本身的插入损耗。
T&M SSDN-0025高频无感同轴分流器0.0025欧姆 高精度电阻 2watt 螺母款shunt
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T&M CVR高频无感电阻,设计用于监测脉冲发生器系统,稳态电流负载产生的极高峰值功率和电流输入,瞬态电流监测,近年来在功率半导体,宽禁带器件的高速发展;器件的动态性能(双脉冲)评价需要对全局导通和关断瞬间的电流波形进行高精度的捕获,同时尽量减少探头本身的插入损耗。
T&M SDN-10高频无感同轴分流器0.1欧姆 2G带宽高精度电阻shunt电流探头 2watt
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T&M CVR高频无感电阻,设计用于监测脉冲发生器系统,稳态电流负载产生的极高峰值功率和电流输入,瞬态电流监测,近年来在功率半导体,宽禁带器件的高速发展;器件的动态性能(双脉冲)评价需要对全局导通和关断瞬间的电流波形进行高精度的捕获,同时尽量减少探头本身的插入损耗。
T&M SDN-015高频无感同轴分流器0.015欧姆 高精度电阻shunt示波器电流探头 2watt
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T&M CVR高频无感电阻,设计用于监测脉冲发生器系统,稳态电流负载产生的极高峰值功率和电流输入,瞬态电流监测,近年来在功率半导体,宽禁带器件的高速发展;器件的动态性能(双脉冲)评价需要对全局导通和关断瞬间的电流波形进行高精度的捕获,同时尽量减少探头本身的插入损耗。
T&M SDN-0025高频无感同轴分流器0.0025欧姆 高精度电阻shunt电流探头 2watt
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T&M CVR高频无感电阻,设计用于监测脉冲发生器系统,稳态电流负载产生的极高峰值功率和电流输入,瞬态电流监测,近年来在功率半导体,宽禁带器件的高速发展;器件的动态性能(双脉冲)评价需要对全局导通和关断瞬间的电流波形进行高精度的捕获,同时尽量减少探头本身的插入损耗。
T&M SSDN-001高频无感同轴分流器0.001欧姆 高精度电阻 2watt 螺母款shunt
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T&M CVR高频无感电阻,设计用于监测脉冲发生器系统,稳态电流负载产生的极高峰值功率和电流输入,瞬态电流监测,近年来在功率半导体,宽禁带器件的高速发展;器件的动态性能(双脉冲)评价需要对全局导通和关断瞬间的电流波形进行高精度的捕获,同时尽量减少探头本身的插入损耗。
T&M SDN-001高频无感同轴分流器0.001欧姆 高精度电阻shunt电流探头 2watt
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T&M CVR高频无感电阻,设计用于监测脉冲发生器系统,稳态电流负载产生的极高峰值功率和电流输入,瞬态电流监测,近年来在功率半导体,宽禁带器件的高速发展;器件的动态性能(双脉冲)评价需要对全局导通和关断瞬间的电流波形进行高精度的捕获,同时尽量减少探头本身的插入损耗。

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