品类
4W/5W/6W 中功率 CVR｜方形法兰，阻值 0.05 Ω，带宽 DC–2000 MHz，上升时间 0.18 ns，脉冲能量 5 J，可测脉冲峰值电流约 14 A（按 I=√(2E/R) 估算）。用于 SiC/GaN 双脉冲、短路与雷击浪涌电流的皮秒级波形测量。
4W/5W/6W 中功率 CVR｜方形法兰，阻值 0.01 Ω，带宽 DC–400 MHz，上升时间 1 ns，脉冲能量 16 J，可测脉冲峰值电流约 57 A（按 I=√(2E/R) 估算）。用于 SiC/GaN 双脉冲、短路与雷击浪涌电流的皮秒级波形测量。
耗散功率高，焦耳热可达 21100焦热，适用于持续释放大能量的场景，如动力电池放电过程，避免测量元件因过热损坏。
2M-20阻值为20mΩ，带宽2.2MHz，最大能量2500焦耳热，额定功率30W
T&M CVR高频无感电阻，设计用于监测脉冲发生器系统，稳态电流负载产生的极高峰值功率和电流输入，瞬态电流监测，近年来在功率半导体，宽禁带器件的高速发展；器件的动态性能（双脉冲）评价需要对全局导通和关断瞬间的电流波形进行高精度的捕获，同时尽量减少探头本身的插入损耗。
T&M 同轴电阻 W 系列 - 夹紧型 - 扁平电缆输入型W-1-01C-1FC，5Watt ; 阻值0.01欧姆，带宽800Mhz， 20J焦耳热
A-5-2（订货型号为SBNC-5-2）,额定功率6瓦特，阻值为0.2欧姆，带宽高达1200兆赫兹，上升时间0.3纳秒，最大耗散功率限值20焦耳热
T&M 大功率无感同轴分流器M系列1M-T10*（20Watt）0.05欧姆 高频低电感精密电阻
T&M CVR高频无感电阻，设计用于监测脉冲发生器系统，稳态电流负载产生的极高峰值功率和电流输入，瞬态电流监测，近年来在功率半导体，宽禁带器件的高速发展；器件的动态性能（双脉冲）评价需要对全局导通和关断瞬间的电流波形进行高精度的捕获，同时尽量减少探头本身的插入损耗。
T&M CVR高频无感电阻，设计用于监测脉冲发生器系统，稳态电流负载产生的极高峰值功率和电流输入，瞬态电流监测，近年来在功率半导体，宽禁带器件的高速发展；器件的动态性能（双脉冲）评价需要对全局导通和关断瞬间的电流波形进行高精度的捕获，同时尽量减少探头本身的插入损耗。
T&M CVR高频无感电阻，设计用于监测脉冲发生器系统，稳态电流负载产生的极高峰值功率和电流输入，瞬态电流监测，近年来在功率半导体，宽禁带器件的高速发展；器件的动态性能（双脉冲）评价需要对全局导通和关断瞬间的电流波形进行高精度的捕获，同时尽量减少探头本身的插入损耗。
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说明被测对象、电压电流等级与带宽要求，工作日 2 小时内给出候选型号和取舍理由。
