品类
T&M同轴电阻 W 系列 - 高功率法兰输入 - 6.5s 型 电流观察电阻 ； 阻值0.00005~0.01欧姆可选
T&M 精密同轴电阻W 系列 - 大功率法兰输入 - 12.5s 型；阻值0.000025~0.05欧姆可选
4W/5W/6W 中功率 CVR｜方形法兰，阻值 0.2 Ω，带宽 DC–1200 MHz，上升时间 0.3 ns，脉冲能量 20 J，可测脉冲峰值电流约 14 A（按 I=√(2E/R) 估算）。用于 SiC/GaN 双脉冲、短路与雷击浪涌电流的皮秒级波形测量。
4W/5W/6W 中功率 CVR｜方形法兰，阻值 0.05 Ω，带宽 DC–400 MHz，上升时间 1 ns，脉冲能量 80 J，可测脉冲峰值电流约 57 A（按 I=√(2E/R) 估算）。用于 SiC/GaN 双脉冲、短路与雷击浪涌电流的皮秒级波形测量。
4W/5W/6W 中功率 CVR｜方形法兰，阻值 0.1 Ω，带宽 DC–800 MHz，上升时间 0.45 ns，脉冲能量 40 J，可测脉冲峰值电流约 28 A（按 I=√(2E/R) 估算）。用于 SiC/GaN 双脉冲、短路与雷击浪涌电流的皮秒级波形测量。
4W/5W/6W 中功率 CVR｜方形法兰，阻值 0.005 Ω，带宽 DC–48 MHz，上升时间 8 ns，脉冲能量 60 J，可测脉冲峰值电流约 155 A（按 I=√(2E/R) 估算）。用于 SiC/GaN 双脉冲、短路与雷击浪涌电流的皮秒级波形测量。
4W/5W/6W 中功率 CVR｜方形法兰，阻值 0.1 Ω，带宽 DC–1200 MHz，上升时间 0.3 ns，脉冲能量 10 J，可测脉冲峰值电流约 14 A（按 I=√(2E/R) 估算）。用于 SiC/GaN 双脉冲、短路与雷击浪涌电流的皮秒级波形测量。
4W/5W/6W 中功率 CVR｜方形法兰，阻值 0.025 Ω，带宽 DC–400 MHz，上升时间 1 ns，脉冲能量 40 J，可测脉冲峰值电流约 57 A（按 I=√(2E/R) 估算）。用于 SiC/GaN 双脉冲、短路与雷击浪涌电流的皮秒级波形测量。
4W/5W/6W 中功率 CVR｜方形法兰，阻值 0.05 Ω，带宽 DC–1200 MHz，上升时间 0.3 ns，脉冲能量 20 J，可测脉冲峰值电流约 28 A（按 I=√(2E/R) 估算）。用于 SiC/GaN 双脉冲、短路与雷击浪涌电流的皮秒级波形测量。
4W/5W/6W 中功率 CVR｜方形法兰，阻值 0.001 Ω，带宽 DC–12 MHz，上升时间 30 ns，脉冲能量 70 J，可测脉冲峰值电流约 374 A（按 I=√(2E/R) 估算）。用于 SiC/GaN 双脉冲、短路与雷击浪涌电流的皮秒级波形测量。
4W/5W/6W 中功率 CVR｜方形法兰，阻值 0.0025 Ω，带宽 DC–48 MHz，上升时间 8 ns，脉冲能量 30 J，可测脉冲峰值电流约 155 A（按 I=√(2E/R) 估算）。用于 SiC/GaN 双脉冲、短路与雷击浪涌电流的皮秒级波形测量。
4W/5W/6W 中功率 CVR｜方形法兰，阻值 0.005 Ω，带宽 DC–200 MHz，上升时间 2 ns，脉冲能量 15 J，可测脉冲峰值电流约 77 A（按 I=√(2E/R) 估算）。用于 SiC/GaN 双脉冲、短路与雷击浪涌电流的皮秒级波形测量。
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说明被测对象、电压电流等级与带宽要求，工作日 2 小时内给出候选型号和取舍理由。
