品类
细分隔离型电流探头
日置开口型电流传感器，额定 1000 A AC/DC，频带 DC~20kHz (-3dB)，基本精度 ±0.3%rdg.±0.02%f.s.(DC)（相位 ±0.1°），可测导体直径 φ50mm，输出 2mV/A，零磁通法（霍尔+CT）测量，1000A 大电流，ME15W输出(CT6846为PL23)适用于逆变器效率评估、SiC/GaN 高频功率测量、大电流波形观测。
日置开口型电流传感器，额定 500 A AC/DC，频带 DC~100kHz (-3dB)，基本精度 ±0.3%rdg.±0.02%f.s.(DC)（相位 ±0.1°），可测导体直径 φ50mm，输出 4mV/A，零磁通法（霍尔+CT）测量，大口径φ50mm，可夹粗配线，ME15W输出(CT6845为PL23)适用于逆变器效率评估、SiC/GaN 高频功率测量、大电流波形观测。
日置开口型电流传感器，额定 500 A AC/DC，频带 DC~200kHz (-3dB)，基本精度 ±0.3%rdg.±0.02%f.s.(DC)（相位 ±0.1°），可测导体直径 φ20mm，输出 4mV/A，零磁通法（霍尔+CT）测量，小尺寸高精度大电流，ME15W输出(CT6844为PL23)适用于逆变器效率评估、SiC/GaN 高频功率测量、大电流波形观测。
日置开口型电流传感器，额定 200 A AC/DC，频带 DC~500kHz (-3dB)，基本精度 ±0.3%rdg.±0.02%f.s.(DC)（相位 ±0.1°），可测导体直径 φ20mm，输出 0.01V/A，零磁通法（霍尔+CT）测量，单手一键开合，使用温度-40~85℃，ME15W输出(CT6843为PL23)适用于逆变器效率评估、SiC/GaN 高频功率测量、大电流波形观测。
日置闭口型电流传感器，额定 200 A AC/DC，频带 DC~500kHz (-3dB)，基本精度 ±0.05%rdg.±0.01%f.s.(DC-400Hz)（相位 ±0.2°），可测导体直径 φ24mm，输出 0.01V/A，零磁通法（霍尔+CT）测量，使用温度-30~85℃，外部DC±11~15V供电，ME15W输出(CT6863为PL23)适用于逆变器效率评估、SiC/GaN 高频功率测量、大电流波形观测。
没找到合适的型号？让工程师帮你选
说明被测对象、电压电流等级与带宽要求，工作日 2 小时内给出候选型号和取舍理由。
