品类
细分电流探头
扁平同轴分流器，阻值 0.02 Ω，最大连续功率 2 W，带宽 1GHz，最大脉冲能量 4 J。占用 PCB 面积极小，适配高密度 SiC/GaN 模块。
扁平同轴分流器，阻值 0.01 Ω，最大连续功率 2 W，带宽 500MHz，最大脉冲能量 4 J。占用 PCB 面积极小，适配高密度 SiC/GaN 模块。
扁平同轴分流器，阻值 0.05 Ω，最大连续功率 1 W，带宽 1GHz，最大脉冲能量 2 J。占用 PCB 面积极小，适配高密度 SiC/GaN 模块。
扁平同轴分流器，阻值 0.02 Ω，最大连续功率 1 W，带宽 300MHz，最大脉冲能量 2 J。占用 PCB 面积极小，适配高密度 SiC/GaN 模块。
扁平同轴分流器，阻值 0.01 Ω，最大连续功率 1 W，带宽 300MHz，最大脉冲能量 2 J。占用 PCB 面积极小，适配高密度 SiC/GaN 模块。
超宽带同轴分流器（UFCS，螺栓型），阻值 0.2 Ω，最大连续功率 3 W，带宽 400MHz，最大脉冲能量 10 J。无高频插入损耗，专为 SiC/GaN 开关电流设计。
超宽带同轴分流器（UFCS，引线型），阻值 0.2 Ω，最大连续功率 3 W，带宽 400MHz，最大脉冲能量 10 J。无高频插入损耗，专为 SiC/GaN 开关电流设计。
超宽带同轴分流器（UFCS，螺栓型），阻值 0.1 Ω，最大连续功率 2 W，带宽 600MHz，最大脉冲能量 8 J。无高频插入损耗，专为 SiC/GaN 开关电流设计。
超宽带同轴分流器（UFCS，引线型），阻值 0.1 Ω，最大连续功率 2 W，带宽 600MHz，最大脉冲能量 8 J。无高频插入损耗，专为 SiC/GaN 开关电流设计。
超宽带同轴分流器（UFCS，螺栓型），阻值 0.05 Ω，最大连续功率 2 W，带宽 1.2GHz，最大脉冲能量 6 J。无高频插入损耗，专为 SiC/GaN 开关电流设计。
超宽带同轴分流器（UFCS，引线型），阻值 0.05 Ω，最大连续功率 2 W，带宽 1.2GHz，最大脉冲能量 6 J。无高频插入损耗，专为 SiC/GaN 开关电流设计。
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说明被测对象、电压电流等级与带宽要求，工作日 2 小时内给出候选型号和取舍理由。
