Opsens OTG-i220 光纤温度传感器 半导体器件结温测量 高精度223℃
OTG-i220 是 Opsens Solutions 半导体 GaAs 晶体光纤温度传感器，外径仅 0.22mm，专为 IGBT/SiC 功率模块封装内部的结温（junction temperature）直接测量设计——可穿过灌胶（gel filled）模块把传感头贴到芯片表面。基于 GaAs 半导体带隙吸收原理：宽带光经解调仪入射到 GaAs 晶体，吸收边沿随温度漂移，实现全介质（全电隔离）真值温度测量。常规款 OTG-i220-2R 为双传感点（2R）伸缩（telescopic）结构，是功率电子应用最常用型号；EMI/RFI 完全免疫、无漂移、测量分辨率 ±0.01℃，响应时间毫秒级，与任意 Opsens 解调仪即插即用、免标定免 GF 系数。
产品介绍
OTG-i220 是 Opsens Solutions 半导体 GaAs 晶体光纤温度传感器，外径仅 0.22mm，专为 IGBT/SiC 功率模块封装内部的结温（junction temperature）直接测量设计——可穿过灌胶（gel filled）模块把传感头贴到芯片表面。基于 GaAs 半导体带隙吸收原理：宽带光经解调仪入射到 GaAs 晶体，吸收边沿随温度漂移，实现全介质（全电隔离）真值温度测量。常规款 OTG-i220-2R 为双传感点（2R）伸缩（telescopic）结构，是功率电子应用最常用型号；EMI/RFI 完全免疫、无漂移、测量分辨率 ±0.01℃，响应时间毫秒级，与任意 Opsens 解调仪即插即用、免标定免 GF 系数。
优势应用：IGBT/SiC 功率模块结温直接测量与寿命模型（lifetime laws）建立；功率循环（power cycling）试验台；逆变器在线温度监测（运行中内置监测）；灌胶模块穿透式测温
资料来源：原厂《Guide installation Power Electronic Rev1.2 V2026》IMP0229 (P2)
规格参数
| 指标名称 | 数值 |
| 测温范围 | -40~+300℃（功率电子典型）；-200~+350℃（产品族极限） |
| 温度分辨率 | ±0.01℃ |
| 响应时间 | 毫秒级（ms） |
| 采样率(配GSX) | 最高 1000Hz |
| 传感原理 | GaAs 半导体带隙吸收（专利） |
| 传感头外径 | 0.22mm |
| 传感点 | 1R 单点 / 2R 双点（telescopic 伸缩结构） |
| EMC 特性 | 全介质传输，完全免疫 EMI/RFI，高压环境本征安全 |
| 长期漂移 | 无漂移（no drift over time） |
| 互换性 | 任意传感器配任意解调仪，免标定 PLUG&PLAY |
| 典型安装 | 芯片表面贴装 + 胶带/胶固定；伸缩结构便于一次定位多芯片 |
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