IWATSU日本岩崎ON PROBE SS-350探头动态导通电阻(Rds ON电压)测试解决方案
电流崩塌仍然是许多工程师对 GaN 功率晶体管的最大担忧之一，由于测试仪器的限制，其评估非常具有挑战性。IWATSU SS-350探头非常方便可靠地测量宽禁带器件的动态导通压降(或称动态Rds on)，本方案是目前全球范围内评价动态导通电阻的最优解。
产品介绍
电流崩塌仍然是许多工程师对 GaN 功率晶体管的最大担忧之一，由于测试仪器的限制，其评估非常具有挑战性。
工程师可以利用IWATSU SS-350探头非常方便的创建一个可重复且可靠的双脉冲评价系统，
可以可靠地测量宽禁带器件的动态导通压降(或称动态Rds on)，本方案是目前全球范围内评价动态导通电阻的最优解。
可靠地测量宽禁带器件的动态导通压降(或称动态Rds on)SS-350 是一种可在 MOSFET 等开关器件开启时
测量开关间电压(ON 电压)的专业探头。通过限制(箝位)开关器件关断时产生的高电压，可以更准确地测量低导通电压。
主要特点：
最大输入电压 +2,000Vpeak
钳位电压 +1.5V/+2.5V/+5.5V
IWATSU DS-8000系列可用于设置钳位电压和偏移电压以及电源
*本产品仅兼容IWATSU DS-8000 系列示波器
最佳应用：
SiC器件导通电阻的温度依赖性评估
GaN器件电流崩溃的导通电阻增加趋势评估
检测导通电压异常温升的影响
测量过电流状态引起的导通电压上升
规格参数
规格 基本性能
| 信号输入部分 | |
|---|---|
| 连接器 | Φ 4mm 香蕉插头 |
| 输入范围 | -20V 峰值 ~ +2,000V 峰值 |
| 电缆长度 | 30 厘米 |
| 钳位电压 | +1.5V / +2.5V / +5.5V |
| 信号输出部分 | |
| 连接器 | BNC |
| 输出阻抗 | 50Ω ±1% |
| 电缆长度 | 2 米 |
| 衰减比 | 5：1（50 Ω 输出端接） |
| 输出电压 | ・钳位电压 ±1.5V 选择：信号振幅 0V ~ +1.0V （输出电压 0V~+0.2V） ・钳位电压 ±2.5V 选择：信号振幅 0V ~ +2.0V（输出电压 0V~+0.4V） ・钳位电压 ±5.5V 选择：信号振幅 0V ~ +5.0V（输出电压 0V~+1V） |
| 偏移调整 | ±0.4V 或更高可调 |
| 探头电源接口 | |
| 连接器 | 圆形 6 针 |
| 电缆长度 | 2 米 |
| 供电 | 由 DS-8000 系列示波器探头供电端口提供 |
| 探头控制 | 钳位电压和偏移电压可从 DS-8000 系列示波器进行设置 |
* DS-8000 系列可在满足以下条件时使用。
- 软件版本 7.1 或更高版本
- 对于 4 通道计算机，FE1 版本必须为 1 或更高版本，对于 8 通道计算机，FE1 和 FE2 版本必须为 1 或更高版本。
尺寸与重量
| 大小 | 60 毫米（宽）× 28 毫米（高）× 115 毫米（深）毫米（不包括突出部分） |
|---|---|
| 质量 | 约 350 克 |
环境特性
| 保证性能温度 | +10°C ~ +35°C |
|---|---|
| 工作温度 | 0°C ~ +40°C |
SS-350 使用说明
应用实例
GaN 器件开关开始时的导通电压特性示例
资料下载
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